Renesas apresenta novo Gate Driver IC para IGBTs e SiC MOSFETs dirigindo inversores EV

O novo Gate Driver IC suporta dispositivos de alimentação de 1200V com 3,75kVrms em tensão de isolamento

TÓQUIO, Japão ― A Renesas Electronics Corporation (TSE: 6723), uma importante fornecedora de soluções avançadas de semicondutores, anunciou hoje um novo IC gate driver projetado para acionar dispositivos de energia de alta tensão, como IGBTs (transistores bipolares de porta isolada) e SiC ( Silicon Carbide) MOSFETs para inversores de veículos elétricos (EV).

Os CIs do gate driver são componentes essenciais para os inversores EV, fornecendo uma interface entre o MCU de controle do inversor e os IGBTs e SiC MOSFETs que fornecem energia ao inversor. Eles recebem sinais de controle do MCU no domínio de baixa tensão e transferem esses sinais para ligar e desligar rapidamente os dispositivos de energia no domínio de alta tensão. Para acomodar as tensões mais altas das baterias EV, o RAJ2930004AGM possui um isolador integrado de 3,75kVrms (kV raiz quadrada média), que é maior do que o isolador de 2,5kVrms no produto da geração anterior e pode suportar dispositivos de energia com uma tensão suportável de até 1200V. Além disso, o novo driver IC apresenta desempenho superior de CMTI (Common Mode Transient Immunity) em 150 V/ns (nanossegundo) ou superior, fornecendo comunicação confiável e maior imunidade a ruídos, atendendo às altas tensões e velocidades de comutação rápidas exigidas em sistemas inversores. O novo produto oferece as funções básicas de um driver de portão em um pequeno pacote SOIC16, tornando-o ideal para sistemas inversores econômicos.

O RAJ2930004AGM pode ser usado em conjunto com IGBTs Renesas, bem como com IGBTs e SiC MOSFETs de outros fabricantes. Além de inversores de tração, o gate driver IC é ideal para uma ampla gama de aplicações que usam semicondutores de potência, como carregadores de bordo e conversores DC/DC. Para ajudar os desenvolvedores a colocar seus produtos no mercado rapidamente, a Renesas oferece a solução xEV Inverter Kit que combina ICs de driver de portão com MCUs, IGBTs e ICs de gerenciamento de energia, e planeja lançar uma versão incorporando o novo IC de driver de portão no primeiro semestre de 2023 .

"A Renesas tem o prazer de oferecer o IC gate driver de segunda geração para aplicações automotivas com alta tensão de isolamento e desempenho CMTI superior", disse Akira Omichi, vice-presidente da divisão de negócios específicos de aplicativos analógicos automotivos da Renesas. “Continuaremos a impulsionar o desenvolvimento de aplicativos para veículos elétricos, oferecendo soluções que minimizam a perda de energia e atendem a altos níveis de segurança funcional nos sistemas de nossos clientes”.

Capacidades de isolamento

Capacidades de acionamento do portão

Funções de proteção/detecção de falhas

Faixa de temperatura operacional: -40 a 125°C (Tj:150°C máx.)

Este produto ajudará a aumentar a adoção de VEs ao realizar inversores econômicos, minimizando assim os impactos ambientais.

O IC de driver de portão RAJ2930004AGM está disponível hoje em quantidades de amostra com produção em massa programada para o primeiro trimestre de 2024. Mais informações sobre o novo produto estão disponíveis em: https://www.renesas.com/products/automotive-products/automotive- gerenciamento de energia/drivers de motor e solenóide/raj2930004agm-gate-driver-hevev

A Renesas Electronics Corporation (TSE: 6723) possibilita um futuro mais seguro, inteligente e sustentável, onde a tecnologia ajuda a tornar nossas vidas mais fáceis. Fornecedora líder global de microcontroladores, a Renesas combina nossa experiência em processamento integrado, analógico, potência e conectividade para fornecer soluções completas de semicondutores. Essas combinações vencedoras aceleram o tempo de lançamento no mercado de aplicativos automotivos, industriais, de infraestrutura e IoT, permitindo bilhões de dispositivos inteligentes conectados que aprimoram a maneira como as pessoas trabalham e vivem. Saiba mais em renesas.com. Siga-nos no LinkedIn, Facebook, Twitter, YouTube e Instagram.

(Observações) Todos os nomes de produtos ou serviços mencionados neste comunicado à imprensa são marcas comerciais ou marcas registradas de seus respectivos proprietários.

O conteúdo do press release, incluindo, mas não limitado a, preços e especificações dos produtos, é baseado nas informações da data indicada no documento, mas pode estar sujeito a alterações sem aviso prévio.