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Lingote de silício de cristal único Fzn/CZ 4/5/6/8/12 polegadas pureza 99,999999% cristal/célula solar policristalina/silício de circuito integrado semicondutor

Lingote de silício de cristal único Fzn/CZ 4/5/6/8/12 polegadas pureza 99,999999% cristal/célula solar policristalina/silício de circuito integrado semicondutor

Visão geral Descrição do produto Os wafers de zona flutuante de cristal único de lingote de silício (também zona flutuan
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Descrição

Informação básica
Modelo Nº.2\3\5\5\6\8\12 polegadas
Tecnologia de manufaturaFzn\CZ
MaterialSilício
TipoTipo N/P Semicondutor
AplicativoIC, Discreto, Detector, Célula Solar, Eletrônico
MarcaSeeopto
Lingotes Longos600 mm máx.
LingoteQuase Quadrado ou Cilindro
Orientação Cristal<100>, <111>,<110>+/-1 grau
Resistividade0,01-20.000 Om/Cm ou conforme necessário
Rrv5% Mín.
Pacote de transportecomo pedido
Especificaçãopersonalizado
Marca comercialseeopto
OrigemChengdu
Código HS9001909090
Capacidade de produção5000 peças/ano
Descrição do produto

Lingote de Silício monocristal

Os wafers Float Zone (também Floating Zone ou FZ) são usados ​​principalmente para aplicações nas quais resistividade muito alta ou ausência de oxigênio são necessárias para um bom desempenho do dispositivo. Tais aplicações incluem energia discreta, energia MOS, células solares de alta eficiência e chips de comunicação RF/sem fio.

Os wafers FZ são cortados de lingotes fabricados pelo processo de zona flutuante, no qual uma haste de silício policristalino ou monocristalino é passada por um aparelho de refino de zona que derrete e solidifica novamente o silício em uma haste monocristalina. Durante o processo de refino de zona, todas as impurezas, incluindo dopantes substitucionais, como boro, fósforo, arsênico, antimônio e impurezas metálicas, são empurradas para a frente da região fundida e reincorporadas ao lingote monocristalino em concentrações muito mais baixas. Isso permite níveis de dopagem muito baixos e resistividades muito altas e a eliminação de oxigênio.

, < 1-1-1 > , < 1-1-0 >/td>
5,000 Ω•cm, >10,000 Ω•cm, >20,000 Ω•cm/td>
500us, >1,000us, /td>

Single Crystal Silicon Ingot Fzn/CZ 4/5/6/8/12 Inch Purity 99.999999% Crystal/Polycrystalline Solar Cell/Semiconductor Integrated Circuit Silicon

Single Crystal Silicon Ingot Fzn/CZ 4/5/6/8/12 Inch Purity 99.999999% Crystal/Polycrystalline Solar Cell/Semiconductor Integrated Circuit Silicon

Single Crystal Silicon Ingot Fzn/CZ 4/5/6/8/12 Inch Purity 99.999999% Crystal/Polycrystalline Solar Cell/Semiconductor Integrated Circuit Silicon

Single Crystal Silicon Ingot Fzn/CZ 4/5/6/8/12 Inch Purity 99.999999% Crystal/Polycrystalline Solar Cell/Semiconductor Integrated Circuit Silicon

Single Crystal Silicon Ingot Fzn/CZ 4/5/6/8/12 Inch Purity 99.999999% Crystal/Polycrystalline Solar Cell/Semiconductor Integrated Circuit Silicon

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