Ipw65r080cfdfksa1 N-Channel 700 V 43.3A (Tc) 391W (Tc) DIP Mosfet Transistor Pg-To247-3-1 Ipw65r080cfd Ipw65r080 Ipw65

IPW65R080CFDFKSA1 N-Channel 700 V 43.3A (Tc) 391W (Tc) DIP Mosfet Transistor PG-TO247-3-1 IPW65R080CFD IPW65R080 IPW65Fo

Descrição

Modelo Nº.	IPW65R080CFD
Forma	SMD
Função	mosfet
Tipo Fet	Canal N
Tecnologia	Mosfet (Óxido Metálico)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	700 V
Dreno Contínuo (ID) @ 25°c	43.3A (TC)
Tensão de acionamento (Max RDS ativado, Min RDS ativado)	10V
RDS ligado (Max) @ ID, Vgs	80mohm @ 17,6A, 10V
Vgs(Th) (Max) @ ID	4,5V @ 1,76mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	170 Nc @ 10 V
Vgs (Máx.)	±20V
Capacitância de entrada (CISS) (Max) @ Vds	5030 FP @ 100V
Dissipação de energia (máx.)	391W (Tc)
Temperatura de operação	-55°c ~ 150°c (Tj)
Tipo de montagem	Através do orifício
Pacote de dispositivos do fornecedor	to-247-3
Número do produto base	Ipw65r080
Pacote de transporte	Padrão
Especificação	Padrão
Origem	Original
Capacidade de produção