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Transistor de efeito de campo de potência em linha Irf1010npbf novo e original Irf1010n

Transistor de efeito de campo de potência em linha Irf1010npbf novo e original Irf1010n

Descrição do produto Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Temperatura operacional Comutação rápida Totalme
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Descrição

Informação básica
Modelo Nº.IRF1010N
Estrutura de encapsulamentoChip Transistor
Nível de poderAlto poder
MaterialSilício
Número de produtoIrf520npbf
DescriçãoMosfet N-CH 100V 9.7A To220
Categoriamosfet
produtosIrf520
Pacote de transporte/
Especificação/
Marca comercialCHN
OrigemChn
Descrição do produto

Classificação dv/dt dinâmica de resistência ultra baixa 175 °C Temperatura de operação Comutação rápida Totalmente classificada como avalanche

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