Irfb4229 Irfb4229pbf Transistor de efeito de campo Mosfet

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Descrição

Modelo Nº.	IRFB4229PBF
Estrutura	planar
Estrutura de encapsulamento	Chip Transistor
Nível de poder	Alto poder
Material	Silício
Tipo de Polaridade/Canal	Canal N
Número de produto	Irfb4229pbf
Doença	Marca Nova e Original
Envio por	DHL\UPS\FedEx\EMS\HK Postdhl\UPS\FedEx\EMS\HK Post
Categoria	Transistores
Tecnologia	mosfet
Pacote de transporte	Tubo
Especificação	ferro e plástico
Origem	Chn

Atributos do produto

Tipo FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (Óxido Metálico)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	46A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Vgs (Máx.)	±30V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	330W (Tc)

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