O que é um FET (Campo

Um transistor de efeito de campo (FET) é um tipo de transistor que usa um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente através de um canal semicondutor. Os FETs são amplamente utilizados em circuitos eletrônicos devido à sua alta impedância de entrada, baixa impedância de saída e alto ganho.

Os FETs possuem três terminais: a fonte (S), o dreno (D) e o portão (G). Quando aplicamos uma tensão na porta, ela cria um campo elétrico que atrai ou repele os portadores de carga (elétrons ou lacunas) na região do canal. Se os portadores de carga são atraídos ou repelidos depende da polaridade da tensão. O processo de aplicação de uma tensão à porta do FET controla a condutividade do canal e o fluxo de corrente entre os terminais de fonte e dreno.

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Um FET é um dispositivo controlado por tensão. Isso significa que sua corrente de saída é controlada pela tensão que aplicamos em seu terminal de porta.

Os FETs têm impedância de entrada muito alta, o que significa que eles não sobrecarregam a fonte de sinal e podem ser usados ​​como amplificadores de buffer. O uso de FETs como amplificadores de buffer pode ajudar a evitar a distorção do sinal e melhorar a qualidade geral da saída do circuito. Além disso, os FETs são eficientes em termos de energia, o que os torna uma opção atraente para dispositivos alimentados por bateria.

Os FETs são dispositivos unipolares, o que significa que eles usam apenas um tipo de portador de carga (elétrons ou lacunas) para controlar o fluxo de corrente. A alternativa a um dispositivo unipolar é um dispositivo bipolar. Ao contrário de um dispositivo unipolar como um FET, um dispositivo bipolar como um transistor de junção bipolar (BJT) usa elétrons e lacunas para controlar o fluxo de corrente. Os dispositivos bipolares têm um alto ganho de corrente e podem lidar com níveis de potência mais altos, o que os torna adequados para aplicações de amplificação de potência.

A fonte, o dreno e o portão são os três terminais de um FET. A fonte e o dreno estão conectados ao canal, enquanto o portão controla o fluxo de corrente através do canal.

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Podemos controlar a condutividade do canal em um FET pela tensão que aplicamos ao portão. Em um FET de canal n, uma tensão positiva aplicada ao portão atrairá elétrons para o canal e aumentará sua condutividade. Em um FET de canal p, uma tensão negativa aplicada ao portão atrairá buracos para o canal e aumentará sua condutividade.

Em um JFET, o canal consiste em um material semicondutor e o canal possui duas regiões em cada extremidade. Estes são conhecidos como fonte e terminais de dreno. A porta é uma junção PN formada perpendicularmente ao canal. O terminal da porta é polarizado ao contrário. Isso cria uma região de depleção que controla a largura do canal. Quando aplicamos uma tensão à porta, a região de depleção aumenta, reduzindo assim a largura do canal e a corrente que flui através dele.

Semelhante aos JFETs, nos MOSFETs o canal também é formado por um material semicondutor e possui duas regiões em cada extremidade, conhecidas como terminais de fonte e dreno. No entanto, em um MOSFET, o portão é separado do canal por uma fina camada isolante que normalmente consiste em dióxido de silício. Assim que uma voltagem é aplicada ao portão, ela cria um campo elétrico que atrai ou repele portadores de carga no canal, dependendo da polaridade da voltagem. Este processo controla a largura do canal e o fluxo de corrente entre os terminais de fonte e dreno.

Os MOSFETs podem ser classificados em dois subtipos: MOSFETs de modo de aprimoramento e MOSFETs de modo de depleção.

Nos MOSFETs de modo de aprimoramento, o canal normalmente está desligado e você deve aplicar uma tensão positiva ao portão para ligá-lo.

Nos MOSFETs de modo de depleção, o canal está normalmente ligado e você deve aplicar uma tensão negativa ao portão para desligá-lo.

Os FETs têm várias vantagens sobre outros tipos de transistores, o que os torna populares em uma variedade de aplicações eletrônicas.